型號：Mono-IRPL/FORTEC
應用領域
- 分子結構和化學鍵，表徵和鑒別化學物種研究
- 化合物的定量分析，化學反應動力學、晶變、相變、材料拉伸與結構的瞬變關係
- 半導體紅外材料生長（MBE），量子阱及半導體III-V材料測試
一 顯微中近紅外螢光（Mono-NIRPL）
系統功能描述
基於光柵光譜儀/FTIR光譜儀，針對半導體紅外材料，實現LN低溫條件下，1064nm鐳射微區激發近中遠紅外螢光（2-5um與8-12um）
系統結構圖
III-V族材料紅外螢光譜 @1064nm |
InSb液氮製冷型探測器（2-5.5um） |
InGaAs 液氮製冷型探測器(1-2.4um) |
Ge基材料IRPL@785nm |
系統功能描述：二 微區FTIR中遠紅外PL光譜（Mono-MIRPL）
- 測試波長範圍：1-5um，高通量光譜單色儀，光譜解析度1nm
- 激發光532nm/ 785nm/ 1064nm，根據使用者需求配置。
- 基於顯微成像系統，可實時監測樣品的激發區
- 對紅外光譜全面優化，優秀的抑制雜散光設計處理，確保檢出微弱信號。
- 採用低噪音LN製冷InGaAs探測器，可以滿足1.2-2.4um波段探測。
- 採用低噪音LN製冷InSb探測器，可以滿足2.0-5.5um波段探測。
- 可拓展紅外螢光Mapping。
- 可拓展液氮，液氦低溫測試，變溫PL譜測試。
