產品概述
原子層沉積系統是為小型生產、研究而設計的和發展，並用於大學。它允許沉積很少的超薄膜納米材料具有良好的均勻性和與三維表面的良好一致性。精確地控制通過在真空中分別添加前驅體，可以提高薄膜的厚度和薄膜性能在工藝循環過程中。ALD的特性為半導體工程、MEMS和其他納米技術應用提供了許多好處。
ALD LL是為多種沉積模式和工藝而開發和設計的使用靈活的系統架構。它可以通過進一步的前驅體系、等離子體源、現場監測和許多其他選擇。SI ALD LL使熱等離子體成為可能增強(可選)沉積的氧化物，氮化物，金屬，和其他材料的不同襯底類型和尺寸。
單個晶圓片或載體直徑可達200毫米，通過真空負載鎖定加載。選擇和放置機制，使清潔和小心處理的基板。可編程的負載鎖的清洗周期確保操作人員的安全和腔室的清潔。底物卡盤可控制在400℃以下，反應器壁可控制在150℃以下。的襯底電極的溫度範圍可選擇性地擴展到500℃。的前身箱體可配置多達4條加熱前驅體管線，並可單獨進入反應器。在總共可以安裝6個前驅體。可編程的加熱和清洗循環反應器確保操作人員的安全和室內清潔。質量流量控制器(MFCs)提供了高淨化氣體和載氣的恆定流量。真空系統配有干泵適用於可靠的中低壓操作。
SI ALD LL可以選擇配備一個實時監測(RTM)光學在線沉積過程的循環診斷。
該系統由先進的軟硬件控制，採用客戶端-伺服器體系結構。一個經過驗證的可靠的遠程現場控制器(RFC)用於所有組件的實時控制。RFC實現了基本的安全聯鎖。
該系統由以下模塊組成:
反應堆單元(含反應堆、負荷鎖、電子、氣體和前驅體供應系統)
電腦、顯示器和鍵盤
粗泵
