型号：Mono-IRPL/FORTEC
应用领域
- 分子结构和化学键，表征和鉴别化学物种研究
- 化合物的定量分析，化学反应动力学、晶变、相变、材料拉伸与结构的瞬变关系
- 半导体红外材料生长（MBE），量子阱及半导体III-V材料测试
一 显微中近红外荧光（Mono-NIRPL）
系统功能描述
基于光栅光谱仪/FTIR光谱仪，针对半导体红外材料，实现LN低温条件下，1064nm激光微区激发近中远红外荧光（2-5um与8-12um）
系统结构图
III-V族材料红外荧光谱 @1064nm |
InSb液氮制冷型探测器（2-5.5um） |
InGaAs 液氮制冷型探测器(1-2.4um) |
Ge基材料IRPL@785nm |
二 微区FTIR中远红外PL光谱（Mono-MIRPL）
- 测试波长范围：1-5um，高通量光谱单色仪，光谱分辨率1nm
- 激发光532nm/ 785nm/ 1064nm,根据用户需求配置。
- 基于显微成像系统，可实时监测样品的激发区
- 对红外光谱全面优化，优秀的抑制杂散光设计处理，确保检出微弱信号。
- 采用低噪音LN制冷InGaAs探测器，可以满足1.2-2.4um波段探测。
- 采用低噪音LN制冷InSb探测器,可以满足2.0-5.5um波段探测。
- 可拓展红外荧光Mapping。
- 可拓展液氮，液氦低温测试，变温PL谱测试。
